三星电子首代亚10nm级DRAM内存将采用混合键合结构
三星电子首代亚10nm级DRAM内存将采用混合键合结构报道称，三星电子存储器业务近期调整了其先进内存技术的路线图，首代亚10nm级DRAM将采用混合键合结构。三星电子正平行开发两种首代亚10nm级DRAM节点，计划在第7代10nm级的1dnm后导入。新版"D0a"节点将在不同的晶圆上制造存储阵列和外围电路，此后以W2W（晶圆对晶圆）混合键合结合两部分。此类工艺允许针对性地优化阵列和外围器件表现，目前已在3DNAND上得到广泛应用。
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