二一九 发表于 2026-3-18 09:02

【三星或采用2nm工艺开发HBM5】

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的 DRAM 。

王运成 发表于 2026-3-18 09:10

感谢提供信息分享。

jqs168888 发表于 2026-3-18 09:52

好好学习，天天向上！

水木子 发表于 2026-3-18 10:46

好好学习，天天向上！
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