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【三星或采用2nm工艺开发HBM5】

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发表于 2026-3-18 09:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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《科创板日报》18日讯,三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E,该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的 DRAM 。
发表于 2026-3-18 09:10 | 显示全部楼层
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发表于 2026-3-18 09:52 | 显示全部楼层
好好学习,天天向上!
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发表于 2026-3-18 10:46 | 显示全部楼层
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