SiC 碳化硅。炒作逻辑

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SiC 碳化硅。炒作逻辑：海外大厂 SiC 器件二轮涨价，AI 高压服务器电源迭代带动衬底、设备需求爆发，韩国加码第三代半导体产业形成全球共振。属性：产业景气 + 海外催化。延续性：板块中军天岳先进、晶升股份大涨，属于半导体国产替代长线赛道，日内趋势完好，短期震荡上行，中线具备持续炒作空间。相关概念股：天岳先进、晶升股份、三安光电、新洁能、士兰微等。‌