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  国产DRAM替代空间持续拓宽

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发表于 2026-7-15 15:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  国产DRAM替代空间持续拓宽

  “存储行业周期属性正在重构,此前由手机、PC库存周期主导的波动模式已被打破。”中信证券在研报中指出,本轮上行由全球AI算力长期资本开支驱动,预计2026年至2028年将连续三年高景气,行业盈利中枢持续上移,估值体系从周期股切换为高成长科技赛道。

  国金证券电子首席分析师樊志远指出,长鑫科技与全球DRAM存储龙头技术节点差距逐渐缩小,公司技术迭代速度显著加快,性能指标已对标国际主流水平。“存储芯片架构正经历从2D向3D的深层变革,关键设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。”樊志远认为。

  爱建证券表示,本次大额募资将加快长鑫科技产能与工艺升级节奏,叠加AI算力支撑存储行业高景气,国产DRAM替代空间持续拓宽。同时,上游晶圆产能稳步扩张,有望自上而下带动存储制造、元器件分销、存储模组全链条业绩弹性持续兑现。

  国联民生证券最新研报指出,AI需求驱动下全球半导体行业景气度持续上行,存储产业链通胀与扩产共振,长鑫科技IPO或推动国内Capex新周期,建议围绕“存储扩产+国产替代”主线布局。

发表于 2026-7-15 16:05 | 显示全部楼层
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