三星电子计划明年上半年启动第七代1d DRAM量产准备

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　　三星电子计划明年上半年启动第七代1d DRAM量产准备

　　6月17日消息，据报道，三星电子正与多家合作伙伴联合开发第七代10纳米级（1d）DRAM量产设备，目标最早于明年第二季度引入量产设备，综合量产准备周期，初步量产最早可能于明年底实现。三星目前已完成早期1d DRAM样品试产及内部评估，但由于关键量产设备仍处于开发阶段，此前预期的今年量产方案被认为缺乏可行性。三星1d DRAM被视为其AI存储业务的重要支柱，预计将作为2029年商业化的第九代高带宽内存HBM5E的核心裸片。