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 存储价格或将==翻==倍=

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发表于 2026-7-12 11:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  当地时间7月10日,DigiTimes最新报告援引业内人士观点称,受AI算力需求爆发、产能结构性紧缺双重因素影响,HBM价格预计2027年实现==翻===倍。

  行业消息人士称,下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特=升至4至5美元,甚至更高。

  据介绍,涨价核心源于两大生产原因:一方面,HBM4工艺制造难度极高,生产周期长达4至6个月,初期良品率偏低;另一方面,生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍,现有产线产能释放空间被大幅压缩。

  当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。

  DigiTimes预判,2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽,中小厂商难以拿到供货份额。

  与此同时,供应链有消息透露,2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满,未提前签订长期供货协议的消费电子企业,或将遭遇严重内存断供危机。

  今年,部分供应商的DDR5利润率已突破80%,迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价,以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。

  紧缩供应、涨价叙事正在成为存储芯片板块的强大催化剂。

  美东时间7月10日,韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证(ADR)在美股市场首次亮相,创下历史纪录的265亿美元发行规模,其ADR价格=涨超12%,较韩股普通股股价存在显著溢价,显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。

  SK海力士首席执行官郭鲁正表示,全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺,预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能,但他预计,存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力,并一直延续到2030年以后。

发表于 2026-7-12 13:15 | 显示全部楼层
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