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财联社10月31日电，长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的**。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片**完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成**后可进入规模量产阶段。 (澎湃新闻)
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发表于 2026-10-31 20:33
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